中国极紫外光刻技术破局：自主创新路径下的芯片制造新篇章
高压放电激发出的极紫外光，正照亮中国半导体产业的自主化道路。哈尔滨工业大学研发的放电等离子体极紫外光源技术取得重大突破，这项技术与长春光学精密机械研究所的反射镜系统成功整合，波前畸变精度达到头发丝直径的五十分之一。这标志着中国在极紫外光刻技术领域迈出关键一步。与此同时，复旦大学团队成功研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”，在集成5900个晶体管的情况下实现了“微
微信小程序
微信扫一扫体验
投稿
微信公众账号
微信扫一扫加关注
顶部